Cover Image

Simulasi Model : Heterojunction Bipolar Transistor Silikon-Germanium (HBT SiGe) Berdasarkan Pengaturan Lebar Stripe Emiter (We)

Main Author: Alamsyah, Tossin (-)
Format: Book
Bahasa: ind
Terbitan: Bandung Institut Teknologi Telkom , 2009
Edition: Juni 2009 Volume 14 Nomor 1
Subjects:
HBT SiGe, Lebar stripe emiter (we), Frekuensi threshold (fr), frekuensi osilasi (fosc), current gain (beta), noise figure minimum (Fn)
Online Access: http://kin.perpusnas.go.id/DisplayData.aspx?pId=11877&pRegionCode=HABIBIE&pClientId=632
LEADER 00849nbmbb2200205kab4500
001 SULSE000000000011877
005 00000000000000
008 ***********************************ind**
020 |a 1410-7066 
035 |a 010-111600000011877 
041 |a indonesia 
082 |a - 
100 |a Alamsyah, Tossin 
245 |a Simulasi Model : Heterojunction Bipolar Transistor Silikon-Germanium (HBT SiGe) Berdasarkan Pengaturan Lebar Stripe Emiter (We) 
250 |a Juni 2009 Volume 14 Nomor 1 
260 |a Bandung  |b Institut Teknologi Telkom   |c 2009 
300 |a 40-45 hlm.; 30 cm.: Ilus 
500 |a - 
650 |a HBT SiGe, Lebar stripe emiter (we), Frekuensi threshold (fr), frekuensi osilasi (fosc), current gain (beta), noise figure minimum (Fn) 
856 4 0 |u http://kin.perpusnas.go.id/DisplayData.aspx?pId=11877&pRegionCode=HABIBIE&pClientId=632  |q text/html 

Lihat Juga