Alamsyah, T. (2009). Simulasi Model: Heterojunction Bipolar Transistor Silikon-Germanium (HBT SiGe) Berdasarkan Pengaturan Lebar Stripe Emiter (We) (Juni 2009 Volume 14 Nomor 1.). Bandung: Institut Teknologi Telkom.
Chicago Style CitationAlamsyah, Tossin. Simulasi Model: Heterojunction Bipolar Transistor Silikon-Germanium (HBT SiGe) Berdasarkan Pengaturan Lebar Stripe Emiter (We). Juni 2009 Volume 14 Nomor 1. Bandung: Institut Teknologi Telkom, 2009.
MLA CitationAlamsyah, Tossin. Simulasi Model: Heterojunction Bipolar Transistor Silikon-Germanium (HBT SiGe) Berdasarkan Pengaturan Lebar Stripe Emiter (We). Juni 2009 Volume 14 Nomor 1. Bandung: Institut Teknologi Telkom, 2009.
Warning: These citations may not always be 100% accurate.