Cover Image

PENGARUH PROFILE GRADED HBT SiGe (Hetero Junction Bipolar Transistor Silicon- Germanium) TERHADAP NILAI PARAMETER SCATTERING

Main Authors: A. Tossin , Alamsyah, E, Shintadewi, Danang, Wijayanto
Format: Article NonPeerReviewed Book
Bahasa: eng
Terbitan: Politeknik Negeri Sriwijaya , 2015
Subjects:
Q Science (General)
Online Access: http://eprints.polsri.ac.id/2499/1/A7-A11.pdf
http://eprints.polsri.ac.id/2499/
ctrlnum 2499
fullrecord <?xml version="1.0"?> <dc schemaLocation="http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc/ http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc.xsd"><relation>http://eprints.polsri.ac.id/2499/</relation><title>PENGARUH PROFILE GRADED HBT SiGe&#xD; (Hetero Junction Bipolar Transistor Silicon- Germanium)&#xD; TERHADAP NILAI PARAMETER SCATTERING&#xD; </title><creator>A. Tossin , Alamsyah</creator><creator>E, Shintadewi</creator><creator>Danang, Wijayanto</creator><subject>Q Science (General)</subject><description>Teknologi epitaksi modern pada heterojunction Silikon (Si) dan Germanium (Ge) atau SiGe seperti MBE (Molecular Beam Epitaxy) , UHV/CVD (Ultra High Vacuum / Chemical Vapor Deposition) dan LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) digunakan untuk merealisasikan profile doping Ge pada rancangan Heterojunction Bipolar Transistor (HBT). &#xD; Pada Penelitian ini dilaksanakan simulasi dan analisa profile doping Ge pada HBT dengan bentuk profile Segiempat, Segitiga dan Trapesium dengan mole fraction (x) 0.1 dan 0.2. Model rancangan Struktur HBT yang dianalisa memiliki Lebar Kolektor (Wc) 350 nm, Doping Kolektor (Nc) 3.1017 , Lebar basis (Wb) 40 nm, Konsentrasi basis (Nb) 1019 cm-3, AE 0,25&#xD7;10 &#xB5;m2 , WE 10 nm, NE maksimum 1021 cm-3. Dengan pengaturan Profile graded SiGe pada Basis memberikan pengaruh yang berbeda pada frekuensi threshold dan Frekuensi maksimum yang berbeda dengan current gain (Ai) yang hampir sama yaitu sekitar 1000 sampai 1090. Dengan demikian dihasilkan bahwa Profile Ge segi empat menghasilkan paramater scattering yang yang lebih lebar disbanding yang lain yaitu untuk S11 0.18&lt;-9 (min) dan 0.278&lt;-178 (maks), S12 0.0175&lt;-2 (min) dan 0.3471&lt;-171(maks), S21 2.88&lt;9 (min) dan 56.99&lt;178 (maks) serta S22 0.27&lt;12(min) dan, 0.42&lt;-181(maks).&#xD; </description><publisher>Politeknik Negeri Sriwijaya</publisher><date>2015</date><type>Journal:Article</type><type>PeerReview:NonPeerReviewed</type><type>Book:Book</type><language>eng</language><identifier>http://eprints.polsri.ac.id/2499/1/A7-A11.pdf</identifier><identifier> A. Tossin , Alamsyah and E, Shintadewi and Danang, Wijayanto (2015) PENGARUH PROFILE GRADED HBT SiGe (Hetero Junction Bipolar Transistor Silicon- Germanium) TERHADAP NILAI PARAMETER SCATTERING. Prosiding SEMINAR NASIONAL FORUM IN RESEARCH, SCIENCE, AND TECHNOLOGY (FIRST) 2015. ISSN 2461-0739 </identifier><recordID>2499</recordID></dc>
language eng
format Journal:Article
Journal
PeerReview:NonPeerReviewed
PeerReview
Book:Book
Book
author A. Tossin , Alamsyah
E, Shintadewi
Danang, Wijayanto
title PENGARUH PROFILE GRADED HBT SiGe (Hetero Junction Bipolar Transistor Silicon- Germanium) TERHADAP NILAI PARAMETER SCATTERING
publisher Politeknik Negeri Sriwijaya
publishDate 2015
topic Q Science (General)
url http://eprints.polsri.ac.id/2499/1/A7-A11.pdf
http://eprints.polsri.ac.id/2499/
contents Teknologi epitaksi modern pada heterojunction Silikon (Si) dan Germanium (Ge) atau SiGe seperti MBE (Molecular Beam Epitaxy) , UHV/CVD (Ultra High Vacuum / Chemical Vapor Deposition) dan LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) digunakan untuk merealisasikan profile doping Ge pada rancangan Heterojunction Bipolar Transistor (HBT). Pada Penelitian ini dilaksanakan simulasi dan analisa profile doping Ge pada HBT dengan bentuk profile Segiempat, Segitiga dan Trapesium dengan mole fraction (x) 0.1 dan 0.2. Model rancangan Struktur HBT yang dianalisa memiliki Lebar Kolektor (Wc) 350 nm, Doping Kolektor (Nc) 3.1017 , Lebar basis (Wb) 40 nm, Konsentrasi basis (Nb) 1019 cm-3, AE 0,25×10 μm2 , WE 10 nm, NE maksimum 1021 cm-3. Dengan pengaturan Profile graded SiGe pada Basis memberikan pengaruh yang berbeda pada frekuensi threshold dan Frekuensi maksimum yang berbeda dengan current gain (Ai) yang hampir sama yaitu sekitar 1000 sampai 1090. Dengan demikian dihasilkan bahwa Profile Ge segi empat menghasilkan paramater scattering yang yang lebih lebar disbanding yang lain yaitu untuk S11 0.18<-9 (min) dan 0.278<-178 (maks), S12 0.0175<-2 (min) dan 0.3471<-171(maks), S21 2.88<9 (min) dan 56.99<178 (maks) serta S22 0.27<12(min) dan, 0.42<-181(maks).
id IOS15200.2499
institution Politeknik Negeri Sriwijaya
institution_id 186
institution_type library:university
library
library Perpustakaan Politeknik Negeri Sriwijaya
library_id 333
collection Perpustakaan Politeknik Negeri Sriwijaya
repository_id 15200
city KOTA PALEMBANG
province SUMATERA SELATAN
repoId IOS15200
first_indexed 2021-08-25T09:29:57Z
last_indexed 2021-08-25T09:29:57Z
recordtype dc
_version_ 1709058384572973056
score 17.538404

Lihat Juga