|
|
|
|
| LEADER |
01002cam a2200289 a 4500 |
| 001 |
INLIS000000000619832 |
| 005 |
20141014125131.0 |
| 006 |
a####g#b###z00010# |
| 007 |
ta |
| 008 |
141014s2007####jii####g#b###z00010#ind## |
| 035 |
# |
# |
|a 0010-1014005242
|
| 040 |
# |
# |
|a JKPNPNA
|b ind
|
| 090 |
# |
# |
|a CB[G]-D.10 2013-1399/1149-2014
|
| 100 |
0 |
# |
|a A.Tossin Alamsyah
|
| 245 |
1 |
0 |
|a Analisis parameter Scaterring Matrix pada heterojunction bipolar transistor silicon-Germanium (HBT) si/si 1-x Gex berdasarkan pengaturan mole fraction /
|c A.Tossin Alamsyah, Danang Wijayanto
|
| 260 |
# |
# |
|c 2013
|
| 300 |
# |
# |
|a viii, 45 lembar + lamp:
|b ilus ;
|c 28 cm.
|
| 500 |
# |
# |
|a Penelitian disahkan oleh Ketua Pusat Penelitian dan Pengabdian Politeknik Negeri Jakarta
|
| 500 |
# |
# |
|a Tahun ke 1 dari rencana 2 tahun
|
| 504 |
# |
# |
|a Bibliografi : lembar 45
|
| 700 |
0 |
# |
|a A.Tossin Alamsyah
|
| 700 |
0 |
# |
|a Danang Wijayanto
|
| 710 |
2 |
# |
|a Politeknik Negeri Jakarta
|
| 850 |
# |
# |
|a JKPNPNA
|
| 850 |
# |
# |
|a 1149/DM[G]/D/2014
|
