A.Tossin Alamsyah, & Danang Wijayanto. (2013). Analisis parameter Scaterring Matrix pada heterojunction bipolar transistor silicon-Germanium (HBT) si/si 1-x Gex berdasarkan pengaturan mole fraction.
Chicago Style CitationA.Tossin Alamsyah, and Danang Wijayanto. Analisis Parameter Scaterring Matrix Pada Heterojunction Bipolar Transistor Silicon-Germanium (HBT) Si/si 1-x Gex Berdasarkan Pengaturan Mole Fraction. 2013.
MLA CitationA.Tossin Alamsyah, and Danang Wijayanto. Analisis Parameter Scaterring Matrix Pada Heterojunction Bipolar Transistor Silicon-Germanium (HBT) Si/si 1-x Gex Berdasarkan Pengaturan Mole Fraction. 2013.
Warning: These citations may not always be 100% accurate.