Skip to content
  • Tentang IOS
  • Join Us
  • Hubungi Kami
  • Organisasi Mitra
  • Akun Anda
  • Keluar
  • Masuk
  • Bahasa Indonesia
    • Bahasa Indonesia
    • English
Lanjutan
  • Cari
  • Pemodelan Heterojunction Bipol...
  • Preview
  • Koleksi Nasional
  • Sitasi Cantuman
  • Kirim via Email
  • Ekspor Cantuman
    • Export to RefWorks
    • Export to EndNoteWeb
    • Export to EndNote
  • Favorit
Cover Image

Pemodelan Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) Si / Si 1-x Gex berdasarkan pengontrolan profile graded silikon dan germanium pada basis

Tersimpan di:
Main Author: Tossin Alamsyah, A. (-)
Corporate Authors: Politeknik Negeri Jakarta. Penelitian dan Pengabdian Masyarakat (-)
Format: Book
Bahasa: ind
Terbitan: , 2009
  • Lokasi
  • Deskripsi
  • Preview
  • Tampilan Petugas

Lihat Juga

  • Analisis parameter Scaterring Matrix pada heterojunction bipolar transistor silicon-Germanium (HBT) si/si 1-x Gex berdasarkan pengaturan mole fraction
    oleh: A.Tossin Alamsyah
    Terbitan: (2013)
  • Simulasi Model : Heterojunction Bipolar Transistor Silikon-Germanium (HBT SiGe) Berdasarkan Pengaturan Lebar Stripe Emiter (We)
    oleh: Alamsyah, Tossin
    Terbitan: (2009)
  • Pemodelan energi bandgap (Eg) pada graded hererojunction bipolar transistor (HBT) Si/ Si 1-x Gex
    oleh: A. Tossin Alamsyah
    Terbitan: (2006)
  • Rancangan Heterojunction Bipolar Transistor Silikon Germanium (HBT'S SIGE) Dengan Pendekatan POISSON Equation
    oleh: Alamsyah, Tossin
    Terbitan: (2011)
  • RANCANGAN HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR SILIKON GERMANIUM (HBT’S SIGE) DENGAN PENDEKATAN POISSON EQUATION
    oleh: Alamsyah, Tossin; Politeknik Negeri Jakarta, et al.
    Terbitan: (2013)

Opsi Pencarian

  • Sejarah Pencarian
  • Pencarian Lanjut

Temukan Lebih Banyak

  • Penelusuran Katalog
  • Penelusuran Alfabetis

Butuh Bantuan?

  • Tips Pencarian
  • Admin
  • Hubungi Kami
© 2025 Perpustakaan Nasional Republik Indonesia
Loading...