Tossin Alamsyah, A. (2009). Pemodelan Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) Si / Si 1-x Gex berdasarkan pengontrolan profile graded silikon dan germanium pada basis.
Chicago Style CitationTossin Alamsyah, A. Pemodelan Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) Si / Si 1-x Gex Berdasarkan Pengontrolan Profile Graded Silikon Dan Germanium Pada Basis. 2009.
MLA CitationTossin Alamsyah, A. Pemodelan Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) Si / Si 1-x Gex Berdasarkan Pengontrolan Profile Graded Silikon Dan Germanium Pada Basis. 2009.
Warning: These citations may not always be 100% accurate.