Analisis rancangan vertical overflow drain (VOD) pada buried charge coupled device (BCCD) untuk menekan blooming dengan variasi konsentrasi impurity dan tebal p-well = Design analysis of vertical overflow drain (VOD) in buried charge coupled device (BCCD) to suppress blooming with impurity concentration and p-well width variations

Format: Bachelors
Terbitan: Fakultas Teknik Universitas Indonesia , 2010
Online Access: http://lib.ui.ac.id/file?file=digital/20249025-R031007.pdf

Internet

http://lib.ui.ac.id/file?file=digital/20249025-R031007.pdf

Lokasi

Koleksi Repository Skripsi (open) Universitas Indonesia
Gedung Perpustakaan Universitas Indonesia
Institusi Universitas Indonesia
Kota KOTA DEPOK
Provinsi JAWA BARAT
Kontak Butuh informasi lebih lanjut? Hubungi pustakawan institusi ini.