Analisa parameter karakteristik multiquantum well dioda laser InGaN/GaN/AlGaN λ=420 nm
| Format: | Bachelors |
|---|---|
| Terbitan: |
Fakultas Teknik Universitas Indonesia
, 2003
|
| Subjects: | |
| Online Access: |
http://lib.ui.ac.id/file?file=digital/20242322-S-Joni Welman Simatupang.pdf |