APA Citation

(2003). Analisa parameter karakteristik multiquantum well dioda laser InGaN/GaN/AlGaN λ=420 nm. Fakultas Teknik Universitas Indonesia.

Chicago Style Citation

Analisa Parameter Karakteristik Multiquantum Well Dioda Laser InGaN/GaN/AlGaN λ=420 Nm. Fakultas Teknik Universitas Indonesia, 2003.

MLA Citation

Analisa Parameter Karakteristik Multiquantum Well Dioda Laser InGaN/GaN/AlGaN λ=420 Nm. Fakultas Teknik Universitas Indonesia, 2003.

Warning: These citations may not always be 100% accurate.