Skip to content
  • Tentang IOS
  • Join Us
  • Hubungi Kami
  • Organisasi Mitra
  • Akun Anda
  • Keluar
  • Masuk
  • Bahasa Indonesia
    • Bahasa Indonesia
    • English
Lanjutan
  • Cari
  • Penumbuhan material DMS GaN :...
  • Preview
  • Koleksi Nasional
  • Sitasi Cantuman
  • Kirim via Email
  • Ekspor Cantuman
    • Export to RefWorks
    • Export to EndNoteWeb
    • Export to EndNote
  • Favorit
Cover Image

Penumbuhan material DMS GaN : Mn dan struktur GaN/GaN : Mn di atas substrat silikon dengan metode PA-MOCVD untuk aplikasi divais MTJ laporan kemajuan hibah bersaing

Tersimpan di:
Main Author: Budi Mulyanti (-)
Corporate Authors: Universitas Pendidikan Indonesia. Fakultas Teknologi dan Kejuruan (-)
Other Authors: Dadi Rusdiana (-), Pepen Arifin
Format: Book
Bahasa: ind
Terbitan: , 2008.
Subjects:
Semikonduktor
Laporan penelitian > Bandung
  • Lokasi
  • Deskripsi
  • Preview
  • Tampilan Petugas

Lihat Juga

  • Penumbuhan material DMS Gan : Mn dan struktur GaN / GaN : Mn diatas substrat silikon dengan metode PA-MOCVD untuk aplikasi divais MTJ
    oleh: Aip Saripudin
    Terbitan: (2009)
  • Penumbuhan struktur sumur kuantum GaAs/GaNxAs1-x/GaAs dengan metode MOCVD untuk aplikasi dioda laser 1,3 dan 1,55 um : laporan penelitian
    oleh: Ida Hamidah
    Terbitan: (2007)
  • Penumbuhan struktur sumur kuantum GaAs/GaNxAs1-x/GaAs dengan metode MOCVD untuk aplikasi dioda laser 1,3 dan 1,55 um : laporan penelitian
    oleh: Ida Hamidah
    Terbitan: (2008)
  • SIFAT STRUKTUR SEMIKONDUKTOR FEROMAGNETIK GaN-Mn YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE PA-MOCVD
    oleh: Mulyanti, Budi, et al.
    Terbitan: (2019)
  • PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR GaN DI ATAS SUBSTRAT SILIKON DENGAN METODE SOL-GEL
    oleh: Sutanto,, Heri, et al.
    Terbitan: (2008)

Opsi Pencarian

  • Sejarah Pencarian
  • Pencarian Lanjut

Temukan Lebih Banyak

  • Penelusuran Katalog
  • Penelusuran Alfabetis

Butuh Bantuan?

  • Tips Pencarian
  • Admin
  • Hubungi Kami
© 2025 Perpustakaan Nasional Republik Indonesia
Loading...