Penumbuhan material DMS GaN : Mn dan struktur GaN/GaN : Mn di atas substrat silikon dengan metode PA-MOCVD untuk aplikasi divais MTJ laporan kemajuan hibah bersaing

Main Author: Budi Mulyanti (-)
Corporate Authors: Universitas Pendidikan Indonesia. Fakultas Teknologi dan Kejuruan (-)
Other Authors: Dadi Rusdiana (-), Pepen Arifin
Format: Book
Bahasa: ind
Terbitan: , 2008.
Subjects:
LEADER 01602cam a2200349 a 4500
001 INLIS000000000215266
005 20100327090339.39
006 aa###f#b###z00010#
007 ta
008 100327s2008####io#a###f#b###z00010#ind##
035 # # |a 0010-41488460 
040 # # |a JKPNPNA  |b ind 
082 0 4 |a 537.622  |2 [22] 
084 # # |a 537.622 BUD p 
090 # # |a 537.622 BUD p 
100 0 # |a Budi Mulyanti 
245 1 0 |a Penumbuhan material DMS GaN : Mn dan struktur GaN/GaN : Mn di atas substrat silikon dengan metode PA-MOCVD untuk aplikasi divais MTJ :  |b laporan kemajuan hibah bersaing /  |c peneliti, Budi Mulyanti, Dadi Rusdiana, Pepen Arifin 
260 # # |c 2008. 
300 # # |a iv, 38 [28] lembar :  |b ilus. ;  |c 28 cm. 
500 # # |a Dibiayai oleh Direktorat Jenderal Pendidikan Tinggi, Departemen Pendidikan Nasional, sesuai dengan surat perjanjian pelaksanaan hibah penelitian nomor : 014/SP2H/DP2M/III/2008. Tanggal 6 Maret 2008 
502 # # |a Laporan penelitian - Universitas Pendidikan Indonesia, 2007 
504 # # |a Bibliografi : lembar 36-38 
650 # 4 |a Semikonduktor 
650 # 4 |a Laporan penelitian  |z Bandung 
659 # # |a DNH 
700 0 # |a Dadi Rusdiana 
700 0 # |a Pepen Arifin 
710 2 # |a Universitas Pendidikan Indonesia.  |b Fakultas Teknologi dan Kejuruan 
850 # # |a JKPNPNA 
900 # # |a 01275nbm**2200012*a*4500 
902 # # |a 131812956:27-MAR-10*131812956:27-MAR-10*131812956:30-MAR-10*131812956:30-MAR-10*131812956:30-MAR-10*131812956:30-MAR-10*131812956:30-MAR-10*131812956:30-MAR-10*131812956:30-MAR-10*760000459:16-JUN-10*760000459:16-JUN-10*760000459:16-JUN-10* 
990 # # |a 580/PN/2009