KARAKTERISASI SIFAT LISTRIK FOTODIODE p-Si / n-LiTaO3:Nb YANG DIBUAT DENGAN METODE CHEMICAL SOLUTION DEPOSITION

Main Authors: Muttakim, Andira, Suhandi, Andi, Hamdani, R. A.
Format: Article info application/pdf eJournal
Bahasa: eng
Terbitan: Program Studi Fisika , 2014
Online Access: http://journal.fpmipa.upi.edu/index.php/JOF/article/view/408
http://journal.fpmipa.upi.edu/index.php/JOF/article/view/408/314
Daftar Isi:
  • Telah dibuat prototipe fotodiode p-Si / n-LiTaO3:Nb dengan variasi pendadah Nb 0 %, 2.5 %, 5 %, dan 7.5 %. Deposisi larutan LiTaO3:Nb di atas p-Si dilakukan dengan metode Chemical Solution Deposition (CSD) atau Sol-Gel menggunakan teknik Spin Coating. Massa molar larutan LiTaO3:Nb adalah 1,00 M. Selanjutnya fotodiode p-Si / n-LiTaO3:Nb dipanaskan (annealed) pada temperatur konstan sebesar 1000 °C selama delapan jam. Temperatur dinaikkan dari temperatur ruang hingga 1000 °C selama satu jam. Karakteristik I-V pada fotodiode p-Si / n-LiTaO3:Nb diukur dengan menggunakan alat Keithley I-V meter dalam keadaan tanpa penyinaran dan dengan penyinaran untuk menentukan nilai photocurrent, breakdown voltage, dan shunt resistance. Hasil penelitian menunjukkan fotodiode p-Si / n-LiTaO3:Nb yang dibuat masih belum bisa memenuhi karakteristik fotodiode yang telah beredar di pasaran. Nilai photocurrent, breakdown voltage, dan shunt resistance untuk fotodiode yang beredar di pasaran memiliki nilai sekitar 100 μA, 50-100 V, dan 10-1000 MΩ, sedangkan dalam penelitian ini nilai optimumnya masing-masing hanya 2.73 μA, 4.95 V, dan 0.23 MΩ. Pada fotodiode p-Si / n-LiTaO3:Nb, nilai photocurrent cenderung menurun seiring dengan penambahan konsentrasi Nb hingga 5 %, nilai photocurrent meningkat kembali ketika konsentrasi Nb ditambahkan menjadi 7.5 %. Nilai breakdown voltage pada fotodiode meningkat seiring dengan penambahan konsentrasi Nb hingga 5 %, nilai breakdown voltage menurun kembali ketika konsentrasi Nb ditambahkan menjadi 7.5 %. Nilai shunt resistance meningkat seiring dengan bertambahnya konsentrasi Nb hingga konsentrasi 7.5 %.