PENGARUH KETEBALAN LAPISAN PENYANGGA GaN TERHADAP STRUKTUR KRISTAL DAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS GaN DITUMBUHKAN DENGAN METODE PULSED LASER DEPOSITION
| Main Authors: | Adnyana, I Gusti Agung Putra, Suarbawa, Komang Ngurah, Sukarasa, I Ketut |
|---|---|
| Format: | Article info application/pdf eJournal |
| Bahasa: | ind |
| Terbitan: |
Center for Science & Technology of Advanced Materials - National Nuclear Energy Agency
, 2009
|
| Subjects: | |
| Online Access: |
http://jurnal.batan.go.id/index.php/jsmi/article/view/4560 http://jurnal.batan.go.id/index.php/jsmi/article/view/4560/3975 |
Daftar Isi:
- PENGARUH KETEBALAN LAPISAN PENYANGGA GaN TERHADAP STRUKTUR KRISTAL DAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS GaN DITUMBUHKAN DENGAN METODE PULSED LASER DEPOSITION. Telah dilakukan studi pengaruh ketebalan lapisan penyangga Galium Nitrida, GaN terhadap struktur kristal dan sifat optik film tipis GaN yang ditumbuhkan dengan metode Pulsed Laser Deposition (PLD). Lapisan penyangga ditumbuhkan pada suhu 450oC dan laju aliran nitrogen 100 sccm dengan waktu deposisi divariasikan antara 15 menit sampai 45 menit. Film yang diperoleh dikarakterisasi dengan Profilometer DEKTAK IIA, Difraktometer sinar-X dan Spektroskopi UV-Vis. Ketebalan lapisan penyangga berpengaruhterhadap kualitas kristal dan sifat optik film tipis GaN yang ditumbuhkan di atasnya. Dari hasil analisis pola difraksi sinar-X dan spektrum UV-Vis, diketahui bahwa film tipis GaN yang ditumbuhkan di atas lapisan penyangga dengan ketebalan 184,6Å cenderungmemiliki orientasi tunggal (0002) yang lebih baik dengan Full Width at Half-Maximum (FWHM) 0,9o dan energi celah pita (Eg) = 3,4 eV dibanding film tipis GaN dengan ketebalan lapisan penyangga 370,2 Å dan 560 Å.