KARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS a-Si:H:B UNTUK BAHAN SEL SURYA
| Main Authors: | Siswanto, Bambang, Wirjoadi, Wirjoadi, Atmono, Trimardji, Yunanto, Yunanto |
|---|---|
| Format: | Article info application/pdf eJournal |
| Bahasa: | ind |
| Terbitan: |
PSTA BATAN
, 2006
|
| Online Access: |
http://jurnal.batan.go.id/index.php/ganendra/article/view/174 http://jurnal.batan.go.id/index.php/ganendra/article/view/174/157 |
Daftar Isi:
- KARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS a-Si:H:B UNTUK BAHAN SEL SURYA. Telah dideposisikanlapisan tipis a-Si:H:B pada substrat kaca dengan menggunakan teknik plasma sputtering DC. Deposisi dilakukanuntuk beberapa parameter proses yang meliputi: waktu deposisi, tekanan gas dan suhu substrat dengan tujuan dapatdiperoleh beberapa lapisan tipis a-Si:H:B yang mempunyai sifat optik yang sesuai untuk bahan sel surya. Variasiwaktu deposisi (0,5 s/d 2 jam), tekanan gas (1,1 s.d 1,4×10-1 torr) dan suhu substrat (150 s.d 300 oC), sedangkanaliran gas reaktif hidrogen ditetapkan sebesar 4 sccm. Target dari bahan silikon yang telah dicampur boron dengankonsentrasi (0,1, 0,3, 0,50, 0,7) % berat. Dari analisa sifat optik menggunakan spektrofotometer UV-Vis diperolehtransmitansi optik maksimum 47 % yang diperoleh pada panjang gelombang 700 nm. Koefisien serapan dan lebarenergi gap untuk lapisan tipis a-Si:H:B masing-masing sebesar 3,49×104 m-1 dan 1,77 eV.