Perancangan Gate Driver untuk SiC MOSFET
| Main Authors: | Pradipta, Doni, Dr. Ir. Rini Nur Hasanah, S.T.,M.T.,M.Sc.,IPM., Waru Djuriatno, S.T.,M.T. |
|---|---|
| Format: | Thesis NonPeerReviewed Book |
| Bahasa: | eng |
| Terbitan: |
, 2021
|
| Subjects: | |
| Online Access: |
http://repository.ub.ac.id/id/eprint/192741/1/185060301111012%20-%20Doni%20Pradipta.pdf http://repository.ub.ac.id/id/eprint/192741/ |
Daftar Isi:
- Pengendalian komponen elektronika daya diperlukannya driver pada gate sehingga diperlukannya perancangan gate driver bertujuan untuk memperkuat sinyal transmisi yang berasal dari control stage untuk memastikan switching yang sesuai dari power device, dalam perancangan harus memperhatikan rugi-rugi switching, semakin kecil rugi-rugi switching maka perancangan gate driver semakin baik. Dalam penelitian ini digunakan model perancangan gate driver menggunakan analisis beban resistif dan beban induktif dengan rangkaian simulasi pabrik ROHM yang tertera dalam datasheet SiC MOSFET tipe sct2160ke yang disimulasikan menggunakan software TINA-TI. Dalam skripsi ini akan ditampilan hasil simulasi dan analisisnya terhadap delay time on, delay time off, disipasi daya, dan switching energy measurement.