Daftar Isi: Rancang Bangun Sistem Deposisi Karbon Dengan Metode Sputtering Dan Studi Pengaruh Tekanan Chamber Terhadap Deposisi Lapisan Tipis Karbon Berbahan Tempurung Kelapa

Daftar Isi:

Telah dilakukan perancangan pada sistem plasma dan pengaruh variasi tekanan chamber terhadap deposisi lapisan karbon dengan metode sputtering. Penambahan alat pada sistem plasma berupa holder karbon, pemanas, teflon sambungan pemanas, saringan atau filter, flowcontrol. Deposisi karbon dengan metode plasma sputtering dilakukan dengan beberapa parameter yaitu variasi tekanan 20, 40 dan 60 pascal, laju alir sebesar 60 mL/menit, tegangan RF 100 volt, jarak antar bahan target dengan substrat 55 mm, waktu dan suhu substrat 60 menit dan 200oC, dimana akan mempengaruhui morfologi lapisan karbon di atas substrat kaca. Data spektrum emisi plasma diperoleh dengan mengukur sepektrum menggunakan Optical Emission Spectrocopy (OES) (AURORA – 4000). Didapatkan dalam bentuk data dari hubungan panjang gelombang dengan intensitas emisi plasma, dianlisa melalui database NIST. Hasil pengolahan data OES menunjukkan spesies plasma yang paling dominan adalah Ar I dengan panjang gelombang tertinggi yaitu 748.781 nm dengan intensitas tertinggi yaitu 7750.5 nm pada tekanan 20 Pa tanpa karbon. Morfologi lapisan tipis karbon di atas substrat kaca menunjukkan terdapat karbon yang menempel di atas substrat kaca dan belum merata. Deposisi lapisan tipis karbon yang optimum dihasilkan pada tekanan 40 Pa dalam proses pembangkitan plasma argon