Simulasi Dinamika Molekuler pada Proses Hidrogenasi Silikon Nitrida Amorf dengan Variasi Temperatur
| Main Author: | Widyaningrum, Anisa |
|---|---|
| Format: | Thesis NonPeerReviewed |
| Terbitan: |
, 2018
|
| Subjects: | |
| Online Access: |
http://repository.ub.ac.id/168482/ |
Daftar Isi:
- Silikon nitrida amorf yang terhidrogenasi merupakan material yang berguna sebagai lapisan anti refleksi pada sel surya. Penambahan hidrogen pada silikon nitrida amorf dapat mengurangi dangling bond yang terjadi pada permukaan. Hal ini berkaitan dengan interaksi atau ikatan antar atom dalam silikon nitrida yang sudah dihidrogenasi. Oleh karena itu perlu diketahui secara mikroskopik simulasi proses hidrogenasi silikon nitrida menggunakan metode dinamika molekuler. Variasi yang digunakan adalah temperatur dengan menggunakan fungsi potensial ReaFF, ensembel NVT dan NVE selama 70 ps. Sebanyak 900 atom hidrogen disebarkan secara acak di atas permukaan struktur silikon nitrida amorf secara bertahap. Variasi temperatur yang digunakan yaitu 300K, 600K, 900K, 1200K. Hasil hidrogenasi silikon nitrida amorf menunjukkan semakin tinggi temperatur, maka jumlah hidrogen yang terserap semakin dalam dan banyak seiring lamanya waktu hidrogenasi. Semakin besar konsentrasi hidrogen pada silikon nitrida amorf akan meminimalisir jumlah dangling bond yang terdapat dalam silikon nitrida amorf yang disebut pasivasi dangling bond. Semakin sedikit jumlah dangling bond, maka stuktur permukaan semakin pasif. Temperatur hidrogenasi 900K dan 1200K menunjukkan keadaan yang paling pasif karena mengandung dangling bond terkecil. Penambahan hidrogen juga menyebabkan terjadinya transfer elektron dari atom hidrogen sebagai donor elektron ke atom silikon sebagai penerima elektron yang menghasilkan ikatan ionik. Sehingga atom silikon lebih bermuatan negatif dibandingkan dengan atom hidrogen.