Daftar Isi: Pengaruh Doping Atom Ga Dan As Terhadap Sifat Elektronik Germanene Dan Germanene Terhidrogenasi Dengan Pendekatan Density Functional Theory (Dft)

Daftar Isi:

Galium memiliki 3 elektron bebas sering digunakan untuk doping pada semikonduktor tipe-p, dan As memiliki 5 elektron bebas sering digunakan untuk doping pada semikonduktor tipe-n. Penyerapan hidrogen menyebabkan pita energi terbuka pada germanene dikarenakan transisi dari hibridisasi sp2 menuju sp3 dari atom Ge. Pengaruh doping atom Galium dan Arsenik terhadap struktur dan sifat elektronik germanene dan germanene hidrogenasi dihitung dengan pendekatan density functional theory (DFT). Dari perhitungan pita energi germanene murni tampak tidak memiliki celah energi (zero bandgap) sedangkan pada germanene terhidrogenasi memiliki celah energi direct gap sebesar 0,8 eV. Germanene terhidrogenesasi didop dengan atom Ga pada posisi B-site, H-site, dan T-site bersifat semikonduktor dengan jenis indirect gap dengan nilai pita energi sebesar 0,63 eV, 0,9 eV, dan 0,83 eV berturut-turut, sedangkan pada germanene terhidrogenasi didop dengan atom Ga pada posisi S-site bersifat semikonduktor dengan jenis direct gap dengan nilai pita energi sebesar 1,31 eV. Germanene terhidrogenesasi didop dengan atom As pada posisi B-site, T-site bersifat semikonduktor dengan jenis indirect gap dengan nilai pita energi sebesar 0,44 eV dan 0,9 eV, berturut-turut, sedangkan pada posisi H-site, dan S-site bersifat semikonduktor dengan jenis inderect gap dengan nilai pita energi sebesar 1,2 eV, dan 0,68 eV.