Daftar Isi: Studi Pengaruh Tekanan Dalam Reaktor Plasma Terhadap Laju Etching Sio2 Sebagai Sensor Qcm Dengan Metode Plasma Etching Menggunakan Gas Ch2fcf3

Daftar Isi:

Proses etching (pengikisan) bahan SiO2 dapat dilakukan dengan metode plasma etching menggunakan gas CH2FCF3. Plasma dibangkitkan dengan daya sebesar 100 Watt dengan melakukan variasi tekanan dalam reaktor pada rentang nilai 0,8 Torr hingga 1,4 Torr, sedangkan parameter lain seperti laju alir gas, suhu dan waktu etching dibuat tetap. Sebelum perlakuan etching dilakukan, bahan diberi masking, yaitu selotip kapton, untuk melindungi sebagian daerah permukaan agar tidak terkikis, sehingga akan tampak perbedaan morfologi permukaan bahan sebelum dan sesudah perlakuan plasma etching pada daerah batas antara daerah etching dan daerah masking. Tujuan dari penelitian ini adalah untuk mengetahui pengaruh tekanan dalam reaktor plasma terhadap laju etching dan koefisien anisotropi. Profil permukaan bahan yang telah diberi perlakuan etching diobservasi dengan menggunakan TMS (topography measurement system) untuk menganalisa morfologi permukaan bahan. Berdasarkan hasil yang diperoleh, laju etching tertinggi adalah 8,95 nm/menit yang terjadi pada tekanan 1 Torr. Tekanan juga berpengaruh pada koefisien anisotropi. Berdasarkan hasil penelitian ini, didapatkan kesimpulan bahwa koefisien anisotropi berbanding terbalik dengan tekanan dalam reaktor, dengan hasil perhitungan koefisien anisotropi tertinggi adalah 3,33x10-2 yang terjadi pada tekanan 0,8 Torr.