Pengaruh Temperatur Anil Pada Lapisan Tipis Bzt (Bazrxti1-Xo3) Dengan Metode Spin Coating Di Atas Substrat Silikon
| Main Author: | Hartadiansyah, MauliaArdinatu |
|---|---|
| Format: | Thesis NonPeerReviewed |
| Terbitan: |
, 2016
|
| Subjects: | |
| Online Access: |
http://repository.ub.ac.id/154958/ |
Daftar Isi:
- Telah dilakukan penelitian tentang pengaruh suhu anil terhadap penumbuhan lapisan tipis BZT di atas substrat silikon. Proses pembuatan prekursor BZT dilakukan dengan metode sol-gel dan penumbuhan lapisan tipis BZT dengan metode spin coating. Proses anil lapisan tipis BZT dilakukan pada suhu 1000oC, 1100oC, dan 1200oC selama dua jam. Karakterisasi struktur lapisan tipis BZT dilakukan dengan menggunakan X-Ray Diffraction (XRD) tipe difraktometer Xpert MPD pada 2θ 10o-120o dengan λkα sebesar 1,540598 Å. Hasil XRD menunjukkan bahwa suhu anil mempengaruhi penumbuhan kristal lapisan tipis BZT, dengan bertambahnya suhu anil maka ukuran butir kristal lapisan tipis BZT semakin kecil. Suhu anil 1200oC menghasilkan struktur kristal terbaik, yaitu pada orientasi bidang kristal (001), (011), (122), dan (024).