Studi Pengaruh Temperatur Annealing terhadap Penumbuhan Kristal Timbal Zirkonat Titanat Pb(ZrxTi1-x)O3 yang Disintesis dengan Metode Sol Gel
| Main Author: | Fathoni, Imam |
|---|---|
| Format: | Thesis NonPeerReviewed Book |
| Bahasa: | eng |
| Terbitan: |
, 2013
|
| Subjects: | |
| Online Access: |
http://repository.ub.ac.id/153378/1/Bab_1-5_%28lengkap%29.pdf http://repository.ub.ac.id/153378/1/Halaman_Judul.pdf http://repository.ub.ac.id/153378/ |
Daftar Isi:
- Telah dilakukan penelitian tentang pengaruh temperatur annealing terhadap penumbuhan kristal PZT di atas substrat Silikon (Si). Proses pembuatan larutan prekursor PZT dilakukan dengan metode sol gel dan penumbuhan lapisan tipis PZT dengan metode spin coating. Komposisi dan struktur kristal lapisan tipis PZT tanpa annealing dan annealing pada temperatur 500, 600, dan 700 oC selama 2 jam diobservasi menggunakan XRF (X Ray Fluorosence) dan XRD (X Ray Diffraction). Dari hasil uji XRF didapatkan bahwa perbandingan komposisi Pb, Zr, dan Ti adalah 1 :0,7: 1.2. Sedangkan hasil uji XRD menunjukkan bahwa lapisan tipis PZT tanpa annealing (as deposited) belum terbentuk kristal, tetapi pada lapisan tipis PZT dengan temperatur annealing 500 oC, 600 oC, dan 700 oC sudah terbentuk kristal PZT dengan orientasi (102) dan (112). Intensitas kristal PZT bertambah tinggi setelah temperatur annealing dinaikkan pada temperatur 600 oC, tetapi setelah temperatur dinaikkan menjadi 700 oC intensitas kristal PZT berkurang. Perubahan intensitas kristal dari PZT berpengaruh juga terhadap ukuran butir yang dihasilkan. Intensitas dan ukuran butir paling tinggi di dapatkan ketika sampel di anneal pada temperatur 600 oC.