perancangan IC Multiplekser dual 4 to 1 dengan menggunakan teknologi HCMOS (High Speed Complementary Metal Oxide Semiconductor )
| Main Author: | AnggrainiPuspitaSari |
|---|---|
| Format: | Thesis NonPeerReviewed |
| Terbitan: |
, 2009
|
| Subjects: | |
| Online Access: |
http://repository.ub.ac.id/139811/ |
Daftar Isi:
- Perancangan ini bertujuan untuk menganalisis dan merancang IC Multiplekser dual 4 to 1 dengan teknologi HCMOS ( High Speed Complementary Metal Oxide Semiconductor ). Teknologi HCMOS sangat penting untuk mengurangi disipasi daya dan meningkatkan operasi sistem tanpa mengubah karakteristik. Pembuatan gambar HCMOS menggunakan software DSCH dan layout rangkaian terintegrasi menggunakan program MICROWIND . Program Pspice digunakan untuk menguji spesifikasi rangkaian. Perancangan IC Multiplekser dual 4 to 1 menggunakan tegangan catu 5V dengan kapasitor kopling sebesar 5pF. Spesifikasi hasil simulasi karakteristik alih tegangan (VTC) adalah V IL = 2.6V; V OL = 0 V; V IH = 2.62V; V OH = 5V; dengan Noise Margin N MH = 2.38V dan N ML = 2.6V. Hasil simulasi waktu tunda ( propagation delay ) adalah t PLH =4.64ns, t PHL = 2.63ns, dan t PD = 3.64ns. Disipasi daya yang dihasilkan sebesar 0.125mW. Ukuran layout tanpa pad i/o adalah 610 μ m x 20 μ m dan ukuran layout dengan pad i/o adalah 1110 μ m x 1110 μ m. Berdasarkan hasil simulasi dan perancangan menunjukkan bahwa spesifikasi IC Multiplekser dual 4 to 1 mempunyai kecepatan dan disipasi daya yang lebih baik daripada IC TTL (SN74ALS253) dan IC CMOS (SL74HC253).