ELECTROLUMINESCENCE TECHNIQUE FOR EVALUATION OF SEMICONDUCTOR LED/LD CHIPS
| Main Authors: | Bayuwati, Dwi; Research Centre for Physics, Indonesian Institute of Sciences Kawasan PUSPIPTEK Serpong 15314 Tangerang, Waluyo, Tomi Budi; Research Centre for Physics, Indonesian Institute of Sciences Kawasan PUSPIPTEK Serpong 15314 Tangerang |
|---|---|
| Format: | Article \\\\\\\\\\\\\\\"application/pdf\\\\\\\\\\\\\\\" eJournal |
| Bahasa: | eng |
| Terbitan: |
Himpunan Fisika Indonesia
, 2013
|
| Online Access: |
http://jurnal.fisika-indonesia.org/index.php/JF/article/view/89 |
Daftar Isi:
- Pada makalah ini diuraikan teknik elektroluminesensi untuk evaluasi performansi optis dari serpih LED/LD sebelum proses tahapan lanjutan yang relative mahal seperti bonding dan pengemasan. Bahan yang digunakan utuk fabrikasi LED dan LD GaInAsP/InP ditumbuhkan secara epitaksi dan dikarakterisasi menggunakan teknik standar seperti fotoluminesensi, difraksi sinar-X dan SEM/scanning electron microscope. Wafer LED/LD kemudian diberi alur, diberi kontak logam serta dibentuk menjadi serpih-serpih berukuran sekitar (100 μm x 300 μm x 120 μm). Untuk menseleksi serpih, pemilihan secara cepat dapat dilakukan segera dengan cara melakukan pengukuran resistansi dari serpih tersebut. Selanjutnya, serpih yang telah terseleksi didrive menggunakan arus pulsa sempit dengan lebar sekitar 75 –100 ns, perioda 400-500 ns dari suatu pembangkit arus dan keluaran cahaya ditangkap menggunakan suatu power meter optis atau suatu spectrum analiser optis. Teknik elektroluminesensi digunakan untuk memeriksa beberapa serpih LED/LD GaInAsP/InP. Spektrum. LED and LD GaInAsP/InPdengan panjang gelombang puncak 1.5 μm telah diperoleh. Lebar spectral yang diperoleh adalah sekitar 90-105 nm untuk LED dan 0.5 nm untuk LD.This paper presents the electroluminescence technique for evaluation of the optical performance of the LED(light emitting diode)/LD(laser diode) chips prior to the relatively expensive device-processing stage such as bonding and packaging. The materials used for the fabrication of GaInAsP/InP LEDs/LDs are grown epitaxially and characterized using standard methods such as photoluminescence, X-ray diffraction and scanning electron microscope. The LED/LD wafers are then necessarily patterned, metallized and formed into about (100 μm x 300 μm x 120 μm) size of chips. To select the chips, quick checking process can be done firstly by measurement of the chip resistance. Furthermore, the selected chips are driven by a narrow pulse of current of width 75 –100 ns, period 400-500 ns from a pulse generator and the output light is detected using an optical power meter or an optical spectrum analyzer. The electroluminescence technique was applied to several GaInAsP/InP LED/LD chips. GaInAsP/InP LED and LD spectrum with peak wavelength of 1.5 μm have been obtained. The spectral width of the LED is about 90-105 nm and that of LD is about 0.5 nm.