STUDI SIFAT OPTIK FILM TIPIS GaN YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE DC SPUTTERING MAGNETRON TAK SEIMBANG
| Main Author: | Munasir |
|---|---|
| Format: | Article PeerReviewed |
| Terbitan: |
Universitas Komputer Indonesia
, 2012
|
| Subjects: | |
| Online Access: |
http://repository.unikom.ac.id/2795/ http://elib.unikom.ac.id/gdl.php?mod=browse&op=read&id=jbptitbpp-gdl-s2-2001-munasir-1509-optik |
Daftar Isi:
- Telah dikembangkan film tipis GaN yang ditumbuhkan dengan GaN diatas substrat sapphire (0001) dengan metode DC Sputtering Magnetron Tak Seimbang. Temperatur deposisi bervariasi antara 630-740oC dengan laju gas Argon (Ar) dan gas Nitrogen dibuat bervariasi. Studi sifat optik terhadap film tipis GaN dilakukan dengan pengukuran fotoluminensesi (PL) pada temperatur ruang. Dari hasil pengukuran PL ini menunjukkan bahwa, intensitas spektrum PL semakin tinggi dengan menaikkan temperatur deposisi, yang berarti kualitas film tipis GaN semakin baik. Film tipis GaN yang telah ditumbuhkan tersebut, mempunyai celah pita optik ~3,4 eV dan luminesensi dominan terjadi pada daerah biru (~2,7 eV). Film tipis GaN mempunyai FWHM ~0,421 eV untuk temperatur deposisi 740oC dan laju aliran Argon 50 sccm.