PENENTUAN CACAT KRISTAL PADA KRISTAL TUNGGAL SILIKON YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE CZOCHRALSKI

Main Author: Ainul Huri, NIM. 089110889
Format: Thesis NonPeerReviewed Book
Bahasa: ind
Terbitan: , 1996
Subjects:
Online Access: http://repository.unair.ac.id/60045/1/KKC%20KK%20MPF%20566_96%20Hur%20p.pdf
http://repository.unair.ac.id/60045/
http://lib.unair.ac.id
Daftar Isi:
  • Pengamatan karakteristik fisika dari suatu kristal dapat dilakukan dengan mengamati struktur dari kristal, yaitu dengan mengamati cacat kristal. Pengamatan cacat kristal dapat dilakukan dengan beberapa cara, salah satu di antaranya adalah dengan metode Etch Pits.