Pengaruh Laju Aliran Gas N2 Terhadap Sifat Optik Film Tipis GaN yang Ditumbuhkan Dengan Teknik Pulsed Laser Deposition (PLD)
| Main Authors: | Widiyandari, Hendri, Budiman, Maman |
|---|---|
| Format: | Article PeerReviewed application/pdf |
| Terbitan: |
Jurusan Fisika FMIPA UNDIP
, 2004
|
| Subjects: | |
| Online Access: |
http://eprints.undip.ac.id/1714/1/Pengaruh_Laju_Aliran_Gas_N2_terhadap_Sifat_Optik_Film_Tipis_GaN_yg_ditumbuhkan_dengan_Teknik_Pulsed_Laser_Deposition_(PLD).pdf http://eprints.undip.ac.id/1714/ |
Daftar Isi:
- Telah ditumbuhkan film tipis GaN (Galium Nitrida) di atas substrat sapphire (0001) dengan teknik Pulsed Laser Deposition (PLD). Terget bulk GaN diiradiasi dengan laser pulsa Nd:YAG dengan laju repetisi 10 pulsa/detik. Deposisi dilakukan pada suhu 7000C, sedangkan laju aliran N2 divariasikan dari 0 hingga 150 sccm. Film tipis yang dihasilkan memberikan struktur kristal tunggal dengan orientasi (0002) dan (0004) yang menunjukkan struktur heksagonal. Dari spektroskopi UV-Vis diperoleh transmisi optik berturut-turut : 82%, 60% dan 75%, dan nilai Eg masing-masing : 3,55 eV, 3,62 eV dan 3,65 eV.