Studi Sifat Elektronik Silicene dengan Pendekatan Teori Kerapatan Fungsional
Main Authors: | Maftuhin, Wafa, Pamungkas, Mauludi Ariesto |
---|---|
Format: | Article application/pdf eJournal |
Bahasa: | eng |
Terbitan: |
Department of Physics - Faculty of Science
, 2014
|
Online Access: |
http://physics.studentjournal.ub.ac.id/index.php/psj/article/view/256 http://physics.studentjournal.ub.ac.id/index.php/psj/article/downloadSuppFile/256/669 |
Daftar Isi:
- Sifat elektronik dari Silikon dua dimensi berbentuk heksagonal yang disebut silicene telah diteliti dengan pendekatan teori kerapatan fungsional. Silicene diprediksi memiliki nilai konstanta kisi (lattice constant) sebesar 3,9 Angstrom, nilai ini mendekati hasil dari eksperimen. Silicene diprediksi memiliki sifat elektronik yang mirip dengan graphene. Pita energi silicene diprediksi tidak memiliki celah energi dan tidak saling tumpang tindih, banyaknya keadaan yang dominan adalah pada orbital p dan struktur membentuk ikatan kovalen.