Cover Image

Perancangan dan analisa efek avalanche pada P-N Junction dengan menggunakan program simulasi Matlab

Main Authors: Iradini, author, Add author: Djoko Hartanto, supervisor
Format: Masters Bachelors
Terbitan: Fakultas Teknik Universitas Indonesia , 2003
Subjects:
Electronic engineering
Online Access: http://lontar.ui.ac.id/detail?id=83211
ctrlnum 83211
fullrecord <?xml version="1.0"?> <dc schemaLocation="http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc/ http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc.xsd"><type>Thesis:Masters</type><title>Perancangan dan analisa efek avalanche pada P-N Junction dengan menggunakan program simulasi Matlab</title><creator>Iradini, author</creator><creator>Add author: Djoko Hartanto, supervisor</creator><publisher>Fakultas Teknik Universitas Indonesia</publisher><date>2003</date><subject>Electronic engineering</subject><description>Pada tesis ini membahas Perancangan dan Analisa Efek Avalanche pada p-n junction. Efek Avalanche hanya dapat dilakukan pada keadaan reverse bias dan konsentrasi p-n juntion doping tinggi, sedangkan untuk mendapatkan lebar depletion layer yang lebih besar, diperlukan penambahan sebuah lapisan diantara p-n junction, yang gunanya untuk mendapatkan efek Penggandaan. Akhirnya analisa dari proses Avalanche ini menghasilkan suatu kesimpulan bahwa Arus maksimum pada doping konsentrasi sekitar 1x1016 cm -3 adalah sekitar 4,7 Amper dengan Daya maksimum 290,5 Watt. &lt;hr&gt;&lt;i&gt;This thesis would be designed and analyzed about p-n junction with focus the Effect Avalanche. The Effect Avalanche only able to do in the reverse bias and high doping concentration. While for to get the wider depletion layer, needed to increase carrier multiplication effect. Finally analysis of Avalanche process has obtain result that the maximum current on doping concentration 1x1016 cm -3 is about 4,7 Ampere with maximum power 290.5 Watts.&lt;/i&gt;</description><identifier>http://lontar.ui.ac.id/detail?id=83211</identifier><recordID>83211</recordID></dc>
format Thesis:Masters
Thesis
Thesis:Bachelors
author Iradini, author
Add author: Djoko Hartanto, supervisor
title Perancangan dan analisa efek avalanche pada P-N Junction dengan menggunakan program simulasi Matlab
publisher Fakultas Teknik Universitas Indonesia
publishDate 2003
topic Electronic engineering
url http://lontar.ui.ac.id/detail?id=83211
contents Pada tesis ini membahas Perancangan dan Analisa Efek Avalanche pada p-n junction. Efek Avalanche hanya dapat dilakukan pada keadaan reverse bias dan konsentrasi p-n juntion doping tinggi, sedangkan untuk mendapatkan lebar depletion layer yang lebih besar, diperlukan penambahan sebuah lapisan diantara p-n junction, yang gunanya untuk mendapatkan efek Penggandaan. Akhirnya analisa dari proses Avalanche ini menghasilkan suatu kesimpulan bahwa Arus maksimum pada doping konsentrasi sekitar 1x1016 cm -3 adalah sekitar 4,7 Amper dengan Daya maksimum 290,5 Watt. <hr><i>This thesis would be designed and analyzed about p-n junction with focus the Effect Avalanche. The Effect Avalanche only able to do in the reverse bias and high doping concentration. While for to get the wider depletion layer, needed to increase carrier multiplication effect. Finally analysis of Avalanche process has obtain result that the maximum current on doping concentration 1x1016 cm -3 is about 4,7 Ampere with maximum power 290.5 Watts.</i>
id IOS18064.83211
institution Universitas Indonesia
institution_id 51
institution_type library:university
library
library Perpustakaan Universitas Indonesia
library_id 492
collection Repository Skripsi (open) Universitas Indonesia
repository_id 18064
city KOTA DEPOK
province JAWA BARAT
repoId IOS18064
first_indexed 2022-12-13T09:16:12Z
last_indexed 2022-12-13T09:16:12Z
recordtype dc
merged_child_boolean 1
_version_ 1752207488490405888
score 17.13294

Lihat Juga