Lokasi: Perancangan struktur HBT Si/SiGe yang optimal untuk memperoleh frekuensi transit dan penguatan arus yang tinggi dengan model HBT yang memperhitungkan mekanisme difusi, drift dan emisi termionik

Main Authors:	Engelin Shintadewi Julian, author, Add author: Djoko Hartanto, supervisor
Format:	Masters Bachelors
Terbitan:	Fakultas Teknik Universitas Indonesia , 1999
Subjects:	Semiconductors
Online Access:	http://lontar.ui.ac.id/detail?id=75559

Koleksi	Repository Skripsi (open) Universitas Indonesia
Gedung	Perpustakaan Universitas Indonesia
Institusi	Universitas Indonesia
Kota	KOTA DEPOK
Provinsi	JAWA BARAT
Kontak	Butuh informasi lebih lanjut? Hubungi pustakawan institusi ini.