Rancangan bangun UV-Aligner berbiaya rendah untuk proses photolithography
| Format: | Bachelors |
|---|---|
| Terbitan: |
Fakultas Teknik Universitas Indonesia
, 2013
|
| Subjects: | |
| Online Access: |
http://lib.ui.ac.id/file?file=digital/2016-4/20394889-SPDF-mochtar_chandra-skripsi-fakultas_teknik-full_text-2013.pdf |
Daftar Isi:
- [Kebutuhan dan permintaan yang tinggi akan proses fabrikasi dalam skala mikro atau nano dibidang peralatan medis, elektronik maupun telekomunikasi mendorong p roses fabrikasi murah sekarang banyak dikembangkan. Peneliti dan perusahaan berlomba - lomba mengemb angkan proses - proses baru atau memperbaruhi proses - proses lama seperti photolithography atau lithography. Salah satu cara membuat produksi murah adalah memproduksi alat - alat produksi yang murah dan mudah diproduksi sesuai dengan sumber daya yang tersedia s ecara lokal. UV - ali g n er yang berhasil dibuat memiliki nilai lebih dari segi konsumsi bahan dan tempat yang efisien dengan kemampuan melakukan proses contact printing (jarak gap 0.58 mm). Jarak pemaparan dapat diatur sebesar 20 - 200 mm untuk perubahan terkec il 138.89 μm. Pemaparan dilakukan menggunakan lima buah lampu UV - C 11 W dengan panjang gelombang 253.7 nm yang disusun secara paralel., Highly needs and demands of micro and nano fabrication process in medical, IC and telecommunication makes low cost fabrication process excessively develop ed . Researche rs and companies compete in developing new processes or innovate on old processes used process es like photolithography or lithography. One strategy to make cheap production is to produce low cost and easily - manufactured production tools using local re sourc es. As a result, m anufactured UV - aligner has better values over optimization material consumption and space with the ability to do contact printing process (gap length 0.58 mm). Range of exposure distance can be set from 20 - 200 mm and the smallest change i s 138.89 μm . Exposure source uses five parallel commercial UV - C 11 W lamp s with a wavelength of 253.7 nm.]