Cover Image

Optimalisasi performa arus drain-source carbon nanotube field-eefect transistor melalui teori ballistic transport

Format: Bachelors
Terbitan: Fakultas Teknik Universitas Indonesia , 2005
Subjects:
Nanostructured (Materials)
Tubes
Online Access: http://lib.ui.ac.id/file?file=digital/20242521-S40096-M. Wardi Hadi.pdf
ctrlnum 20242521
fullrecord <?xml version="1.0"?> <dc schemaLocation="http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc/ http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc.xsd"><title>Optimalisasi performa arus drain-source carbon nanotube field-eefect transistor melalui teori ballistic transport</title><creator/><type>Thesis:Bachelors</type><place/><publisher>Fakultas Teknik Universitas Indonesia</publisher><date>2005</date><description>Sejak ditemukannya material Carbon Nanotube pada tahun 1998, berbagai pihak mulai mengaplikasikan Carbon Nanotube pada divais elektronika. Hal ini dilalcukan karena Carbon Nanotube mempunyai karakteristik elektris dan karalcteristik termal yang lebih baik dibandingkan dengan material Iainnya. Aplikasi Carbon Nanotube sebagai channel menyebabkan terjadinya fenomena ballistic transport pada CN TFET karenajarak source dan drain yang kecil. . &lt;br&gt;&lt;br&gt; Pada penelitian ini dilakukan simulasi bertujuan melihat pengaruh parameter gate insulator dielectric constant, gate insulator' thickness dan temperatur terhadap besar arus drain-source dan terjadinya fenomena ballistic transport. Simulasi menghasilkan nilai arus drain-source CNTFET optimal sesuai variasi keti ga parameter tersebut. &lt;br&gt;&lt;br&gt; Hasil simulasi menunjukkan parameter gate insulator dielectric constant dan temperatur berbanding lurus dengan besar arus drain source, sedangkan parameter gate insulator thickness berbanding terbalik dengan besar arus drain source. Arus drain-source optimal didapatkan pada koniigurasi gate insulator thickness 3nm, gate insulator dielectric constant 25 dan temperatur 600K, sebesar 3.lxl0`5A dengan VD5=0,6V dan VG=0,6V.</description><subject>Nanostructured (Materials)</subject><subject>Tubes.</subject><identifier>20242521</identifier><source>http://lib.ui.ac.id/file?file=digital/20242521-S40096-M. Wardi Hadi.pdf</source><recordID>20242521</recordID></dc>
format Thesis:Bachelors
Thesis
title Optimalisasi performa arus drain-source carbon nanotube field-eefect transistor melalui teori ballistic transport
publisher Fakultas Teknik Universitas Indonesia
publishDate 2005
topic Nanostructured (Materials)
Tubes
url http://lib.ui.ac.id/file?file=digital/20242521-S40096-M. Wardi Hadi.pdf
contents Sejak ditemukannya material Carbon Nanotube pada tahun 1998, berbagai pihak mulai mengaplikasikan Carbon Nanotube pada divais elektronika. Hal ini dilalcukan karena Carbon Nanotube mempunyai karakteristik elektris dan karalcteristik termal yang lebih baik dibandingkan dengan material Iainnya. Aplikasi Carbon Nanotube sebagai channel menyebabkan terjadinya fenomena ballistic transport pada CN TFET karenajarak source dan drain yang kecil. . <br><br> Pada penelitian ini dilakukan simulasi bertujuan melihat pengaruh parameter gate insulator dielectric constant, gate insulator' thickness dan temperatur terhadap besar arus drain-source dan terjadinya fenomena ballistic transport. Simulasi menghasilkan nilai arus drain-source CNTFET optimal sesuai variasi keti ga parameter tersebut. <br><br> Hasil simulasi menunjukkan parameter gate insulator dielectric constant dan temperatur berbanding lurus dengan besar arus drain source, sedangkan parameter gate insulator thickness berbanding terbalik dengan besar arus drain source. Arus drain-source optimal didapatkan pada koniigurasi gate insulator thickness 3nm, gate insulator dielectric constant 25 dan temperatur 600K, sebesar 3.lxl0`5A dengan VD5=0,6V dan VG=0,6V.
id IOS18064.20242521
institution Universitas Indonesia
institution_id 51
institution_type library:university
library
library Perpustakaan Universitas Indonesia
library_id 492
collection Repository Skripsi (open) Universitas Indonesia
repository_id 18064
city KOTA DEPOK
province JAWA BARAT
repoId IOS18064
first_indexed 2022-12-13T08:54:04Z
last_indexed 2022-12-13T08:54:04Z
recordtype dc
merged_child_boolean 1
_version_ 1752184715443437569
score 17.538404

Lihat Juga