DEPOSISI FILM TIPIS REDUCED GRAPHENE OXIDE (RGO) SEBAGAI ELEKTRODA LAWAN PADA DSSC

Main Author: Hanipah, Iip
Format: bachelorthesis doc-type Bachelors
Bahasa: ind
Terbitan: , 2018
Online Access: http://repository.unpad.ac.id/frontdoor/index/index/docId/12424
Daftar Isi:
  • Film tipis reduced graphene oxide (RGO) sebagai elektroda lawan pada DSSC (Dye Sensitized Solar Cells) telah dipreparasi dengan menggunakan dua metode yaitu drop casting dan spin coating. Serbuk RGO dengan massa 0,1 mg dan 0,05 mg, masing-masing didispersi pada 1 mL NMP (N-Methyl-2-pyrrolidinone) dan DMF (Dimethylformamide). Proses dispersi dilakukan selama 1 jam menggunakan ultrasonic bath. Untuk mengetahui karakteristik film tipis RGO dilakukan beberapa pengukuran, diantaranya pengukuran spektroskopi UV-vis, FT-IR, EDS (Energy Dispersion Spectroscopy) dan SEM (Scaning Electronic Microscopy). Hasil pengukuran spektroskopi UV-vis menunjukan bahwa lapisan tipis RGO dengan metode spin coating dan drop casting telah terdeposisi di atas FTO. Berdasarkan pengukuran spektroskopi FT-IR terdapat gugus fungsi C=O pada lapisan tipis RGO tetapi tidak teramati pada serbuk RGO. Munculnya ikatan rangkap C=O pada lapisan tipis RGO kemungkinan disebabkan oleh proses pendispersian, sehingga atom O tersebut merupakan kontribusi dari medium pendispersi (NMP dan DMF). Berdasarkan karakterisasi spektrokopi EDS dapat diketahui bahwa komponen atom karbon yang terdapat pada lapisan RGO yaitu sebanyak 23,28 % (RGO+NMP) dan 2,75% (RGO+DMF). Morfologi permukaan pada lapisan tipis RGO berdasarkan hasil pengukuran SEM tidak dapat dilihat dengan jelas bentuk lembaran - lembaran RGO hal ini karena lapisan yang terbentuk terlalu tipis (10~20 nm). Untuk mempelajari peran lapisan tipis RGO sebagai elektroda lawan pada DSSC, maka dilakukan pembuatan divais dengan struktur FTO/TiO2/ruthenium/elektrolit/RGO/FTO. Untuk mengetahui kinerja DSSC yang dihasilkan, dilakukan pengukuran arus - tegangan (I-V) menggunakan lampu LED dengan daya input 36,5 mW/cm2. Efisiensi terbesar didapatkan oleh elektroda lawan RGO+NMP 0,05 mg/ml dengan metode drop casting yaitu sebesar 2,22 % dengan nilai fill factor 52,25%, V_oc 0,65 V dan J_sc 2,39 mA/cm2. Meskipun efisiensi yang dihasilkan RGO masih lebih rendah dari efisiensi DSSC dengan Pt sebagai elektroda lawan (η=3,73 %), namun beberapa parameter sel surya yang dihasilkan memiliki nilai yang sebanding antara kedua eletroda lawan tersebut. Oleh sebab itu lapisan RGO diyakini berpotensi menjadi alternatif lain sebagai elektroda lawan pada DSSC.