DEPOSISI FILM TIPIS GRAPHENE OXIDE DENGAN METODE ELEKTROKIMIA DAN KARAKTERISASINYA
| Main Author: | M, Dea Christ Wahyu |
|---|---|
| Format: | bachelorthesis doc-type Bachelors |
| Bahasa: | ind |
| Terbitan: |
, 2017
|
| Online Access: |
http://repository.unpad.ac.id/frontdoor/index/index/docId/12379 |
Daftar Isi:
- Graphene adalah material karbon dua dimensi yang mempunyai sifat optik, mekanik dan listrik yang menarik sehingga memiliki banyak potensi aplikasi seperti alat elektronik, kapasitor dan sensor. Fabrikasi film tipis menggunakan metode deposisi elektrokimia menawarkan kontrol atas parameter reaksi seperti tegangan, arus, waktu reaksi, konsentrasi elektrolit dan konsentrasi larutan. Penelitian ini bertujuan untuk membuat film tipis Graphene oxide (GO) dengan menggunakan metode elektrokimia dan mengkarakterisasinya. Deposisi lapisan GO dilakukan dalam sel elektrokimia dengan menggunakan Indium Tin Oxide (ITO glass) sebagai working electrode, platina sebagai counter electrode dan Ag/AgCl sebagai reference electrode. Dispersi GO dalam akuades dengan konsentrasi 1 mg/ml yang dicampurkan dengan 1 M H2SO4 (1:1) dideposisikan pada substrat ITO glass. Film tipis GO tersebut dideposisikan secara galvanostatik dengan variasi arus (1 mA, 1,5 mA, 2 mA) dan secara potensiostatik dengan variasi tegangan (-0,8 V, -1 V, -1,2 V) dengan waktu deposisi selama 60 menit. Terjadinya pembentukan lapisan GO pada substrat ITO glass diperiksa dengan menggunakan spektroskopi UV-Vis dan Cyclic Voltammetry (CV). Hasil pengukuran dengan spektroskopi UV-Vis menunjukkan adanya lapisan GO pada substrat ITO glass pada proses deposisi secara galvanostatik. Absorbansi sampel yang sudah dideposisi tampak lebih tinggi dibanding absorbansi dari substrat ITO glass. Perubahan absorbansi tidak begitu besar karena lapisan yang terbentuk hanya tipis. Sampel yang dideposisi secara potensiostatik tampak lebih tebal dibandingkan dengan sampel yang dideposisi secara galvanostatik. Pengaruh besar tegangan juga tampak sangat signifikan, makin besar tegangan yang digunakan makin besar juga lapisan GO yang terbentuk. Hasil pengukuran CV menunjukkan kurva redoks dengan tegangan reduksi 0,288 volt dan tegangan oksidasi 0,57 volt. Semakin besar tegangan deposisi yang digunakan maka semakin besar tegangan oksidasinya dan semakin kecil tegangan reduksinya.