LAPISAN ZINK OKSIDA (ZnO) YANG DI-CAPPING REDUCED GRAPHENE OXIDE (rGO) MENGGUNAKAN METODE ELEKTROFORETIK UNTUK APLIKASI LAPISAN TRANSPOR ELEKTRON SEL-SURYA PEROVSKITE

Main Author: Latiffah, Efa
Format: bachelorthesis doc-type Bachelors
Bahasa: ind
Terbitan: , 2017
Online Access: http://repository.unpad.ac.id/frontdoor/index/index/docId/12375
Daftar Isi:
  • Zink Oksida (ZnO) merupakan semikonduktor alternatif yang digunakan untuk lapisan transpor elektron pada sel surya perovskite, selain dari TiO2. ZnO mendapat perhatian lebih karena dapat disintesis dengan metode sederhana dan memiliki kemudahan dalam tahap kristalisasi (<150oC), energi gap yang lebih besar dari TiO2 (3,2 eV) yaitu 3,37 eV dan akan bertambah ketika terbentuk menjadi nanopartikel. Namun, lapisan perovskite di atas ZnO mudah terdegradasi menjadi PbI2, sehingga perlu adanya bantuan material lain yang sama sebagai material transpor elektron untuk menjaga kestabilan perovskite. Grafena oksida tereduksi atau rGO (Reduced Graphene Oxide) digunakan sebagai pembungkus (capping) ZnO untuk meningkatkan stabilitas dan efisiensi sel surya perovskite. Capping ZnO-NPs/rGO disintesis menggunakan metode kimiawi basah yaitu metode sol-gel. Hasil UV-Vis dan uji TEM menunjukkan bahwa ZnO-NPs mempunyai energi gap 4,6 eV dengan ukuran rata-rata nanopartikel sebesar 14,5 nm, Deposisi elektroforetik lapisan transpor elektron capping ZnO-NPs/rGO menggunakan tegangan 30 volt dengan jarak antar-elektroda 1 cm selama 1 jam. Hasil XRD menunjukkan bahwa struktur kristal yang terbentuk ialah cubic wurtzite. Selanjutnya, lapisan perovskite dibuat dengan metode spin coating satu tahap. Hasil XRD dan SEM morfologi dari perovskite di atas ZnO-NPs/rGO menunjukkan bahwa keberadaan rGO mampu meningkatkan penyerapan cahaya dan menjaga stabilitas perovskite.