Skip to content
  • Tentang IOS
  • Join Us
  • Hubungi Kami
  • Organisasi Mitra
  • Akun Anda
  • Keluar
  • Masuk
  • Bahasa Indonesia
    • Bahasa Indonesia
    • English
Lanjutan
  • Cari
  • Pemodelan energi bandgap (Eg)...
  • Preview
  • Koleksi Nasional
  • Sitasi Cantuman
  • Kirim via Email
  • Ekspor Cantuman
    • Export to RefWorks
    • Export to EndNoteWeb
    • Export to EndNote
  • Favorit
Cover Image

Pemodelan energi bandgap (Eg) pada graded hererojunction bipolar transistor (HBT) Si/ Si 1-x Gex

Tersimpan di:
Main Author: A. Tossin Alamsyah (-)
Corporate Authors: Indonesia. Departemen Koperasi. Inspektorat Jenderal (-)
Other Authors: E. Shintadewi Yulian (-)
Format: Book
Bahasa: ind
Terbitan: , 2006
  • Lokasi
  • Deskripsi
  • Preview
  • Tampilan Petugas

Lihat Juga

  • Pemodelan Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) Si / Si 1-x Gex berdasarkan pengontrolan profile graded silikon dan germanium pada basis
    oleh: Tossin Alamsyah, A.
    Terbitan: (2009)
  • Analisis parameter Scaterring Matrix pada heterojunction bipolar transistor silicon-Germanium (HBT) si/si 1-x Gex berdasarkan pengaturan mole fraction
    oleh: A.Tossin Alamsyah
    Terbitan: (2013)
  • Penurunan noise figure performence (Fn) pada heterojunction bipolar transistor SI/SI 1-x GEx
    oleh: ALAMSYAH, Tossin
    Terbitan: (2010)
  • Simulasi Model : Heterojunction Bipolar Transistor Silikon-Germanium (HBT SiGe) Berdasarkan Pengaturan Lebar Stripe Emiter (We)
    oleh: Alamsyah, Tossin
    Terbitan: (2009)
  • Penskalaan lateral dan vertikal dari rancangan silicon germanium heterojuntion bipolar transistor (HBT'S SIGE)
    oleh: Ahmad Tossin Alamsyah
    Terbitan: (2010)

Opsi Pencarian

  • Sejarah Pencarian
  • Pencarian Lanjut

Temukan Lebih Banyak

  • Penelusuran Katalog
  • Penelusuran Alfabetis

Butuh Bantuan?

  • Tips Pencarian
  • Admin
  • Hubungi Kami
© 2025 Perpustakaan Nasional Republik Indonesia
Loading...