Pengaruh Annealing Terhadap Tingkat Kestabilan Efisiensi Sel Surya p-i-n a-Si:H Doping Delta
| Main Authors: | Supu, Amiruddin, DM, Dilla, Daud Malago, Jasruddin, Suryani Arsyad, Fitri |
|---|---|
| Format: | Article PeerReviewed application/pdf |
| Terbitan: |
, 2001
|
| Subjects: | |
| Online Access: |
http://eprints.unsri.ac.id/2713/1/190%2D719%2D1%2DPB.pdf http://ijp.papsi.org/index.php/ijp/index http://eprints.unsri.ac.id/2713/ |
Daftar Isi:
- Sel surya silikon amorf terhidrogenasi (a-Si:H) dengan lapisan-p yang di doping-delta (d-doped) telah difabrikasi dengan reaktor ganda Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD). Gas silan (SiH4), diboran (B2H6) dan posfin (PH3) masing-masing 10% dalam hidrogen (H2oC menurun dari 8,59 % sampai 6,69 % dengan meningkatnya lama penyinaran dari 0 sampai 2,5 Jam. Efisiensi stabil yang dicapai adalah 7,11 %, yang berarti bahwa terjadi penurunan efisiensi sebesar 17,23 %. Jadi dengan melalui proses annealing terjadi pengurangan penurunan efisiensi.