(1998). Perancangan Sensor pH Ion Sensitive Field Effect Transistor (ISFET) dengan menggunakan Si3N4 sebagai metal gate. Fakultas Teknik Universitas Indonesia.
Chicago Style CitationPerancangan Sensor PH Ion Sensitive Field Effect Transistor (ISFET) Dengan Menggunakan Si3N4 Sebagai Metal Gate. Fakultas Teknik Universitas Indonesia, 1998.
MLA CitationPerancangan Sensor PH Ion Sensitive Field Effect Transistor (ISFET) Dengan Menggunakan Si3N4 Sebagai Metal Gate. Fakultas Teknik Universitas Indonesia, 1998.
Warning: These citations may not always be 100% accurate.