Lokasi: Studi Pengaruh Rasio Masukan Sumber V/III Terhadap Distribusi Sb dan Karakteristik Kelistrikan Lapisan Tipis GaAs1-x Sbx yang Ditumbuhkan dengan Teknik MOCVD [On the Study of the Effect of Source Input V/III to the Distribution of Sb and Electricity.....]

Main Authors:	Andi Suhandi; Jurusan Fisika, Fakultas Pendidikan Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas Pendidikan Indonesia, Bandung, Pepen Arifin; Kelompok Keilmuan Fisika Material Elektronik, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Institut Teknologi Bandung, Maman Budiman; Kelompok Keilmuan Fisika Material Elektronik, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Institut Teknologi Bandung, Muhamad Barmawi; Kelompok Keilmuan Fisika Material Elektronik, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Institut Teknologi Bandung
Format:	Article application/pdf eJournal
Bahasa:	eng
Terbitan:	Institut Teknologi Bandung , 2009
Subjects:	GaAs1-xSbx MOCVD V/III source input ratio Sb composition Electrical properties
Online Access:	http://journal.fmipa.itb.ac.id/jms/article/view/166

Koleksi	Jurnal Matematika & Sains
Gedung	Perpustakaan Institut Teknologi Bandung
Institusi	Institut Teknologi Bandung
Kota	KOTA BANDUNG
Provinsi	JAWA BARAT
Kontak	Butuh informasi lebih lanjut? Hubungi pustakawan institusi ini.